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内存芯片单元简介

发布来源:嘉灿电子  发布日期: 2021-10-26  访问量:135

内存芯片单元简介

内存芯片基本单元结构(DRAM Memory Cell Circuit)

WL(X):字节线(Word Line),X地址寻址线(Row Address);

BL(Y):比特线(Bit Line),Y地址寻址线(Column Address)和数据出入输出线(Data In/Out);

Transistor : 金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管开关;

Capacitor: 电荷储能单元即电容。

备注:内存芯片中每个单元都有以字节线和比特线组合的独立地址。以2016年主流4GB单面8芯片内存条为例,每粒内存芯片有4G个独立地址。

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